La base de carburo de silicio más grande de China se puso oficialmente en producción, con una inversión total de 5 mil millones de yuanes.

Ayer (8) Noticias diarias, según el informe, la inversión de 5 mil millones de yuanes, la tierra de construcción de aproximadamente 1000 acres de la ciencia eléctrica de China (Shanxi) Ciencia de la información electrónica y tecnología innovación parque industrial transformación cambio lizo área de demostración en Shanxi puesto formalmente en producción.

El Diario del Pueblo informó que el proyecto, con una duración de 5 años, construirá un centro con tres bases: la base industrial de materiales de carburo de silicio de China Electrical Science (Shanxi), la base industrial de fabricación de equipos electrónicos inteligentes de China Electrical (Shanxi), el centro de innovación en tecnología de semiconductores de tres generaciones de China Electrical Science (Shanxi) y la base industrial de energía fotovoltaica (PV) de China Electrical Science (Shanxi). Se espera que el proyecto genere una producción de 10 mil millones de yuanes.

El reportero de la estación de Shanxi, Liu Yang, señaló en un informe que esta base de carburo de silicio ha suministrado un total de 300 equipos, con una producción mensual que superará los cien millones de yuanes. Una vez finalizado el proyecto, se convertirá en la mayor base de suministro de materiales de carburo de silicio del país. El parque industrial de 400 hectáreas conectará a más de una docena de sectores, tanto upstream como downstream, en el área de demostración de transformación de Shanxi Zong, impulsando rápidamente el desarrollo del clúster de la industria de semiconductores en Shanxi y logrando la plena autonomía en el suministro de carburo de silicio en China.

El gran ancho de banda prohibido, la tensión crítica de ruptura, la alta movilidad electrónica y la alta conductividad térmica constituyen la tercera generación de materiales semiconductores de carburo de silicio altamente dopados con sb, considerados la tarjeta de presentación más destacada. Sin embargo, la preparación de este material ha sido un problema global, y la alta estabilidad de la tecnología de cristales largos es su núcleo. En China, la dependencia a largo plazo de las importaciones para el sustrato de carburo de silicio altamente dopado con sb, su alto coste y la inestabilidad del suministro limitan considerablemente el desarrollo de las industrias nacionales relacionadas.

Li Bin, gerente general de Shuo en la sucursal de Shanxi Crystal Co., LTD., dijo: "El carburo de silicio es un material semiconductor clave, todo de Shanxi, puede impulsar una cadena industrial de 50 a 10 mil millones de yuanes. Ahora todos están adelantados en este punto, ahora estamos en una carrera contra el tiempo para poner esta captura de nodo de tiempo, prestando especial atención a la prevención y el control de epidemias por un lado, por otro lado prestando especial atención al regreso al trabajo y la producción, para realmente captar las alturas dominantes de la cadena industrial en nuestras propias manos, nacer en Shanxi".

Se informa que desde 2007, la sección eléctrica china 2 comienza el diseño del material de sustrato de carburo de silicio fuertemente dopado con sb de la planificación del desarrollo, ha dominado la tecnología de preparación de polvo de carburo de silicio de alta pureza, el proceso de preparación de sustrato de carburo de silicio fuertemente dopado con sb de aislamiento de alta pureza de cuatro pulgadas y media, formado a partir de la preparación de polvo de carburo de silicio, crecimiento de cristales, procesamiento de obleas, como un conjunto completo de línea de desarrollo de materiales de validación epitaxial de carburo de silicio, materiales de carburo de silicio de alta pureza y alta pureza en la producción de obleas aislantes de media mitad más temprana.